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TaC坩埚制备及在AlN单晶生长中的应用
杨俊 1董志远 1胡炜杰 1段满龙 1赵有文1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,北京市912信箱,北京 100083
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摘要
采用物理气相传输法(PVT法)生长AlN体单晶的温度高达2200℃,生长过程中存在腐蚀性Al蒸汽,对所用坩埚材料的稳定性和寿命要求极高。TaC具有高熔点、耐腐蚀和性质稳定等优点,是PVT法生长AlN晶体的理想坩埚材料。本文研究了高温碳化处理Ta坩埚制备TaC坩埚的工艺技术,分析了TaC坩埚的组分均匀性、碳化过程和机理,探讨了制备优质TaC坩埚和延长坩埚使用寿命的途径。
关键词
单晶生长/物理气相传输法/坩埚材料/碳化处理引用本文复制引用
主办单位
中国电子学会/广州市科协会议名称
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议会议时间
2008-11-30会议地点
广州会议母体文献
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集页码
58-61出版时间
2008