高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究

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中文摘要：本文采用光致发光谱和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。实验发现在非故意掺杂常规GaN中,黄带发光的强度随着镓空位(Vga)浓度的增加而增大,其表明Vga相关缺陷是非故意掺杂常规GaN中黄带发光深受主的来源。实验中也发现高阻GaN中没有Vga,但也有很强的黄带发光,甚至比非故意掺杂常规GaN更强。这表明高阻GaN中黄带发光的深受主有其它的来源,与Vga无关；碳相关的缺陷被认为该深受主的来源。此外,实验也发现在高阻GaN中,有高的刃型位错密度和短的正电子扩散长度(Ld)的样品有更强的黄带。由空穴的空间局域化(从短的Ld推知)导致的电子-空穴波函数交叠增加被认为是高阻GaN中黄带发光效率增加的非常重要的因素。

作者：

许福军、沈波、苗振林、宋杰、杨志坚、张国义

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作者单位：

北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871

关键词：

高阻氮化镓黄带发光性质正电子湮灭谱光致发光谱 MOCVD法位错密度

主办单位：

中国电子学会

广州市科协

会议名称：

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2008-11-30

会议地点：

广州

会议母体文献：

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

630-633

出版时间：

2008