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非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质

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我们采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN:Mn薄膜。通过高分辨x射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明:在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要贡献的Mn3Ga相,快速退火过程可以有效的恢复离子注入过程对样品的损伤,所得非极性GaN:Mn退火样品具有室温铁磁特性。

孙莉莉、闫发旺、张会肖、王军喜、曾一平、王国宏、李晋闽

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中科院半导体研究所半导体照明研发中心,北京 100083

稀磁半导体 氮化镓薄膜 离子注入 室温铁磁性 铁磁性质 x射线衍射

中国电子学会

广州市科协

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

2008-11-30

广州

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

599-601

2008