脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响

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中文摘要：在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。

关键词：

化合物半导体氮化铝薄膜透射电镜位错密度脉冲缓冲层外延生长

主办单位：

中国电子学会

广州市科协

会议名称：

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2008-11-30

会议地点：

广州

会议母体文献：

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

275-278

出版时间：

2008