宽禁带MgxZn1-xO薄膜的制备和性能研究

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中文摘要：采用磁控溅射法、通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明：MgxZn1-xO薄膜在(0002)方向有明显的c轴择优取向；随着Mg原子含量的提高,薄膜由六角单相转化为六角相和立方相的混合相：MgxZn1-xO合金薄膜的透射谱表明：随着Mg原子含量的增加,薄膜的透射率略有下降,但在可见光区域的平均透射率仍大于85%；随着Mg原子含量的增加,吸收边逐渐蓝移,最短的吸收边为283nm。能隙宽度图表明：随着Mg原子含量的提高,MgxZn1-xO薄膜的能隙宽度从3.36 eV增加到4.27 eV。

作者：

盛国浩、贾芳、朱德亮、曹培江、吕有明、马晓翠

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作者单位：

深圳大学,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳 518060

关键词：

x射线衍射透射光谱磁控溅射法光学性能薄膜结构能隙宽度

主办单位：

中国电子学会

广州市科协

会议名称：

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2008-11-30

会议地点：

广州

会议母体文献：

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

425-428

出版时间：

2008