ZnO/GaN异质发光二极管的电致发光

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中文摘要：利用等离子体协助分子束外延方法在p-GaN衬底上生长n-ZnO薄膜,制备出n-ZnO/p-GaN异质结,在室温下的电致发光光谱上观测到位于430nm的宽且强的发射带,被归结为来自GaN与Mg受主相关的缺陷发光；为改善发光性能,通过插入绝缘层,制备了n-ZnO/i-ZnO/p-GaN和n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质pn结构,结果显示ZnO或MgO绝缘层能有效地抑制电子向P型GaN层的注入,导致ZnO激活层的载流子复合几率增加,ZnO层的发光得到增强。通过进一步调节器件结构,可望在这种p-i-n异质结构的材料中实现新型的紫外发光器件和激光器。

作者：

吕有明

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作者单位：

深圳大学材料学院,深圳 518060

关键词：

电致发光发光二极管分子束外延法异质结氧化锌薄膜

主办单位：

中国电子学会

广州市科协

会议名称：

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2008-11-30

会议地点：

广州

会议母体文献：

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

404-407

出版时间：

2008