聚二烯丙基二甲基氯化铵-丙烯酰胺插层蒙脱土的研究

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中文摘要：通过调节氧化还原体系引发剂亚硫酸氢钠和过硫酸铵的用量,制备了系列数均分子量分为-5500、-6000、-8500和-20000的聚二烯丙基二甲基氰化铵-丙烯酰胺；对聚合物进行纯化处理后,采用提纯聚合物、未提纯聚合物和质子化后的提纯聚合物进行直接插层钠基蒙脱土,选用数均分子量为～6000提纯聚合物进行了不同用量聚合物插层钠基蒙脱土的研究。XRD结果表明：本实验条件下制备的提纯聚合物能够顺利进行蒙脱土插层,聚合物中未反应单体的存在不利于聚合物大分子插层蒙脱土：对聚合物进行质子化处理后,对聚合物插层蒙脱土无明显影响。提纯PDM-AM聚合物(～6000Mn)改性蒙脱土的层间距随聚合物用量的增加而增加；当聚合物用量为1.4 CEC时,聚合物改性蒙脱土XRD谱图中衍射峰宽化。

作者：

高党鸽、马建中、董雷、李运、吕斌

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作者单位：

陕西科技大学资源与环境学院,西安 712021

关键词：

聚二烯丙基二甲基氯化铵丙烯酰胺聚合物插层蒙脱土

主办单位：

中国微米纳米技术学会

会议名称：

第七届中国纳米科技（西安）研讨会

会议时间：

2008-09-01

会议地点：

西安

会议母体文献：

第七届中国纳米科技（西安）研讨会论文集

页码：

31-38

出版时间：

2008