A1GaN/GaN异质结构中表面态对二维电子气的影响

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中文摘要：基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源。基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEG)的大量数据。例如,2DEG密度随着AlGaN层厚度、Al组分的变化的原因。当Al0.3Ga0.7N/GaN结构中生长一层5nm厚的GaN冒层时,2DEG浓度由1.47×1013cm-2减少到1.20×1013cm-2,减少是由于表面类施主态离化减少。由于充分厚的GaN冒层导致GaN/AlGaN/GaN上界面形成二维空穴气(2DHG),所以在超出特定的冒层厚度时2DEG浓度达到饱和。

作者：

谢峰、李德昌

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作者单位：

西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安 710071

西安电子科技大学理学院,陕西西安 710071

关键词：

异质结构二维电子气静电学分析表面态

主办单位：

中国微米纳米技术学会

会议名称：

第七届中国纳米科技（西安）研讨会

会议时间：

2008-09-01

会议地点：

西安

会议母体文献：

第七届中国纳米科技（西安）研讨会论文集

页码：

388-391

出版时间：

2008