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多晶Fe3O4薄膜的制备和性能

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Fe3O4 材料以其100%的自旋极化率、高居里温度等优异的性能,成为磁随机存储器、磁传感器以及磁头的首选材料。本试验通过磁控溅射法在室温条件下制备了多晶Fe3O4薄膜,并从薄膜的电性和磁性两方面着手研究氧含量的不同对多晶Fe3O4薄膜电子输运性能的影响。

王健、王雅欣、张晓、刘晖

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天津理工大学材料学院,天津 300191

南开大学信息技术科学学院,天津 300071

自旋极化率 居里温度 磁控溅射法 多晶薄膜 电子输运性能

中国电子学会

第十届固体薄膜会议

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