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SiN纳米梁谐振器的制造工艺研究
卓敏 1朱健 2刘梅 1贾世星1
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所，南京，210016
- 2. 南京电子器件研究所，南京，210016 单片集成电路与模块国家级重点试验室，南京，210016
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摘要
纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEMS器件的优越性。纳米梁谐振器有望广泛应用于单电子电量、单分子质量等物理量的检测。高灵敏度生物、化学传感器等不同领域。本文研究了纳米级固支梁谐振器的制造工艺技术，研究利用电子束光刻和MEMS工艺相结合的纳米制造技术，开发出干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的纳米固支梁结构的制造工艺，形成纳米梁谐振器自上而下的制造工艺技术。
关键词
纳米梁谐振器/制造工艺/干法刻蚀/电子束光刻引用本文复制引用
主办单位
中国微米纳米技术学会会议名称
中国微米纳米技术学会第十一届学术年会会议时间
2009-08-12会议地点
哈尔滨会议母体文献
中国微米纳米技术学会第十一届学术年会论文集页码
210-211出版时间
2009