摘要
红外波段是光学技术中非常重要的波段，在军用和民用方面有着广泛的应用，如环境监控、痕量气体探测、长距离超低损耗光纤通讯、激光雷达以及红外对抗等。笔者采用自制的水平低压MOCVD设备，在GaSb衬底上外延生长了几种InAs/GaSb超晶格结构，利用双晶X射线衍射(DCXRD)、光学显微镜、原子力显微镜(AFM)，透射电镜(TEM)和光致发光谱(PL)等分析手段研究了InAs/GaSb超晶格结构生长技术。通过优化MOCVD生长参数，如生长温度，Ⅲ/V比等，确定了最佳的生长工艺条件，降低失配位错，优化界面特性，生长出高质量的外延材料和器件结构，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料。
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