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关于氧化物稀磁半导体室温铁磁性起源的研究
杨继勇 1李惟慎 1李恒 1孙祎 1聂家财1
作者信息
- 1. 北京师范大学物理系,北京,100875
- 折叠
摘要
自旋电子学是近年来凝聚态物理研究最热的课题之一,有效的操纵和控制电子的电荷与自旋,是科学家们不断追求的目标。但是,十多年来,在对半导体进行载流子的自旋极化注入方面的研究上,一直都没有突破性的进展,直到室温稀磁半导体的发现,由于它能够解决目前存在的自旋极化注入的问题,从而引起了科学家们极大的兴趣。本文在充分调研的基础上,对氧化物稀磁半导体室温铁磁性的起源进行了大量而系统的研究。
关键词
氧化物/稀磁半导体/载流子/自旋极化注入/铁磁性引用本文复制引用
主办单位
中国物理学会会议名称
第十七届全国半导体物理学术会议会议时间
2009-08-16会议地点
长春会议母体文献
第十七届全国半导体物理学术会议论文集页码
59出版时间
2009