AlN插入层厚度对Al0.25Ga0.75N/GaN异质结肖特基接触反向漏电的影响

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中文摘要：AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电会造成AlxGa1-xN/GaN基HEMT的低频噪音，栅极击穿和关态功率损耗。因此本文研究了不同厚度AIN插入层对Al0.25Ga0.75N/GaN上肖特基接触漏电的影响。

作者：

黄森、沈波、马楠、许福军、林芳、苗振林、宋杰、鲁麟、桑立雯、秦志新

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作者单位：

北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871

关键词：

二维电子气反向漏电栅极击穿异质结

主办单位：

中国物理学会

会议名称：

第十七届全国半导体物理学术会议

会议时间：

2009-08-16

会议地点：

长春

会议母体文献：

第十七届全国半导体物理学术会议论文集

页码：

出版时间：

2009