烧结温度对ATO半导体颜料粉体电阻率和涂层红外发射率的影响

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中文摘要：以SnCl4.5H2O、SbCl3、NaOH等为原料，采用共沉淀法制备ATO半导体颜料，采用XRD、EDS、SEM对颜料结构、成分、形貌进行表征，研究了不同烧结温度对颜料粉体电阻率和其涂层红外发射率的变化关系。研究结果表明，烧结温度对颜料的粉体电阻率和涂层红外发射率影响明显，其变化规律具有同向性;当烧结温度为1350℃时，制备的粉体电阻率为15Ωcm，涂层红外发射率为0.76。

作者：

孙国亮、郑文伟、程海峰、张朝阳

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作者单位：

国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,湖南长沙 410073

关键词：

ATO半导体颜料粉体烧结温度电阻率红外发射率共沉淀法制备工艺

主办单位：

中国材料研究会

上海市化学化工学会

会议名称：

首届全国涂料科学与技术会议

会议时间：

2008-10-27

会议地点：

上海

会议母体文献：

首届全国涂料科学与技术会议论文集

页码：

316-320

出版时间：

2008