基于Bean模型分析混合态超导体的电磁特性

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基于Bean模型分析混合态超导体的电磁特性

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中文摘要：本文基于Bean临界态模型分析了无限长超导圆柱体处于混合态时的电磁场分布以及能量变化特点.根据超导体内部及表面的电磁场值计算了超导体的交流损耗功率和电磁能流密度,并分析了超导体内部的电场能、磁场能、交流损耗、流入能量的变化关系.

作者：

赵尚武、崔春艳、王秋良

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作者单位：

中国科学院电工研究所,北京 100080 邯郸学院,河北邯郸 056005

中国科学院电工研究所,北京 100080

关键词：

Bean模型混合态超导体临界态电磁能流密度交流损耗

主办单位：

中国电工技术学会

中国电机工程学会

会议名称：

第十届超导学术交流会

会议时间：

2009-07-01

会议地点：

北京

会议母体文献：

第十届超导学术交流会论文集

页码：

291-293

出版时间：

2009