化学气相沉积法制备GaN纳米结构设计性实验

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中文摘要：本文介绍了无催化剂辅助条件下,化学气相沉积法生长GaN纳米材料的形貌演化。通过调整衬底,NH3气流、生长时间等生长参数,实现了半导体GaN纳米线的合成以及形貌调控。用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对产物的物相及形貌进行了表征。获得了合成GaN纳米线最合适的条件。本实验可以作为综合设计性实验,在材料物理及相关专业高年级大学生的教学中应用。

作者：

孙言飞、杨玮、简基康

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作者单位：

新疆大学物理科学与技术学院,新疆乌鲁木齐 830046

关键词：

化学气相沉积法 GaN纳米材料结构设计形貌演化实验教学

主办单位：

中国物理学会

教育部

西安交通大学

会议名称：

第六届全国高等学校物理实验教学研讨会

会议时间：

2010-08-01

会议地点：

西安

会议母体文献：

第六届全国高等学校物理实验教学研讨会论文集

页码：

469-473

出版时间：

2010