光电化学刻蚀n型多孔硅过程中的介质增强荧光效应

扫码查看

原文链接

NETL

中文摘要：在光电化学阳极刻蚀n型单晶硅过程中，在电解液中加入适量钛溶胶，制得的多孔硅（PS）经荧光光谱（PL）检测，发光强度明显增强。傅里叶红外光谱（FT-IR）检测发现在多孔硅结构中出现了亚甲基的伸缩振动吸收，用扫描电镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）表征手段对其进行表征，发现表面的裂缝区域明显加大。O、C、Si是多孔硅表面的主要构成元素。然后制备钛溶胶涂敷的多孔硅复合电极，在Fe(CN)63./Fe(CN)64.溶液中的测量了复合电极的光电流-电压关系。结果显示用添加钛凝胶制备的多孔硅电极具有更好的光电流特性。

作者：

李怀祥、于磊、于凯

展开 >

作者单位：

山东师范大学化学化工与材料科学学院,济南 250015

关键词：

多孔硅复合电极光电流特性光电化学刻蚀发光强度

主办单位：

中国微米纳米技术学会

会议名称：

2009第八届中国国际纳米科技（湘潭）研讨会

会议时间：

2009-10-23

会议地点：

湘潭

会议母体文献：

2009第八届中国国际纳米科技（湘潭）研讨会论文集

页码：

1-6

出版时间：

2009