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化学水浴法制备CIGS薄膜太阳电池缓冲层CdS薄膜的研究

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采用化学水浴沉积法(CBD)分别在醋酸镉溶液体系和硫酸镉溶液体系中沉积CdS薄膜。对两种Cds薄膜的表面形貌、晶体结构、光透过率和薄膜成分等性能进行了研究。两种溶液体系下沉积的CdS薄膜的厚度为60 nm,无微孔排列致密,光透过率高,S/cd原子比约为0.94。相对而言,醋酸镉溶液体系沉积的CdS薄膜的择优生长更明显,薄膜表面的白色沉淀颗粒较少,禁带宽度值略小。采用两种溶液体系沉积的CdS薄膜作为聚酰亚胺衬底铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,简称CIGs)柔性薄膜太阳电池的缓冲层,电池的转换效率分别达到6.42%(醋酸镉体系)和6.35%(硫酸镉体系)(电池总面积0.64 cm2,标准光谱AM0)。

曹章轶、吴敏、张忠卫、钱峰伟、徐传明、陈鸣波

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上海空间电源研究所,上海 200233

华东师范大学信息学院,上海 200241

上海空间电源研究所,上海 200233 上海太阳能工程技术研究中心,上海 200241

化学水浴沉积 CIGS薄膜 薄膜太阳电池 CdS薄膜

中国可再生能源学会

江苏省光伏产业协会

第十一届中国光伏大会暨展览会

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第十一届中国光伏大会暨展览会论文集

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