电应力致AlGaN/GaN HEMT的应力松弛研究

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中文摘要：GaN HEMT器件的常温反偏老化实验中发现器件的栅漏电流明显增大。微区拉曼研究发现,栅漏电的增加伴随着HEMT器件沟道GaN材料张应力的增加。研究表明此结果和逆压电效应有关。外加反向电场致使AlGaN势垒层形变增加,当AlGaN层形变超过临界时发生晶格松弛。导致AlGaN势垒层位错和缺陷增加。GaN沟道层附近受到SiC衬底的张应力和AlGaN势垒层的压应力共同作用,AlGaN晶格的松弛促使沟道附近GaN晶格张应力增加。

作者：

敦少博、江洋、李静强、房玉龙、尹甲运、刘波、陈弘、冯志红、蔡树军

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作者单位：

专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051

中国科学院物理所,清洁能源实验室,北京,100190

关键词：

GaN HEMT 逆压电效应徽区拉曼应力松弛

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2010-10-25

会议地点：

西安

会议母体文献：

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

73-76

出版时间：

2010