源漏电极与沟道接触对ZnO薄膜晶体管的影响

张杰 ¹李喜峰 ²吕建国 ¹叶志镇¹

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作者信息

1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
2. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海 200072
折叠

摘要

室温下采用射频磁控溅射沉积高阻ZnO薄膜作为沟道层，在玻璃衬底上制备出底栅共平面型结构薄膜晶体管(TFT)。对比源漏极分别为Cr和ITO的两种TFT器件，发现两者均具有好的饱和特性，但ITO电极与高阻ZnO能形成更好的欧姆接触，在40V的栅极电压下，ITO电极TFT比Cr电极TFT饱和电流高3个数量级。相同沟道宽长比的TFT，ITO电极TFT具有更优异的电学性能，具有更高的开关态电流比和饱和场效应迁移率。

关键词

ZnO/薄膜晶体管/高电阻率/欧姆接触

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主办单位

中国电子学会

会议名称

第十二届全国固体薄膜会议

会议时间

2010-11-29

会议地点

南宁

会议母体文献

第十二届全国固体薄膜会议论文集

页码

50-53

出版时间

2010

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