具有埋层结构的4H—SiC混合PiN/Schottky二极管的研究

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中文摘要：碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky 二极管(MPS)是一种理想的整流器件。本文利用二维半导体器件模拟软件ISE—DESSIS讨论了一种具有埋层的4H—SiC MPS的新犁结构,分析表明埋层的加入能有效降低反向漏电流的大小。并详细研究了埋层的掺杂浓度、深度以及间距对器件反向漏电流和正向压降的影响.

作者：

黄健华、吕红亮、张玉明、张义门、汤晓燕、陈丰平、宋庆文

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作者单位：

西安电子科技大学宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安 710071

关键词：

4H-SiC 混合PiN/Scllottky二极管埋层结构反向漏电流

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2010-10-25

会议地点：

西安

会议母体文献：

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

80-82

出版时间：

2010