InP基RTD制备与特性分析

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中文摘要：通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电流密度为26KA/cm2.峰谷电流比1.56,与模拟结果进行了比较与分析,为进一步改善器件性能奠定了基础。

作者：

王伟、孙浩、田彤、艾立鹍、谈惠祖、齐鸣、孙晓玮

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作者单位：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海 200050 中国科学院研究生院,北京 100049

中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室,上海 200050

关键词：

共振隧穿二极管 I-V特性磷化铟器件模拟

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2010-10-25

会议地点：

西安

会议母体文献：

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

111-113

出版时间：

2010