PECVD生长径向n-i-p硅纳米线太阳能电池

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中文摘要：采用PECVD 技术在柔性不锈钢衬底上制备径向n-i-p 硅纳米线(Silicon Nanowires-SiNWs)太阳能电池.电流-电压测试表明硅纳米线电池的开路电压为0.62V,短路电流密度为13.36 mA/cm2、转化效率达3.56%.与同炉制备的硅薄膜电池相比,硅纳米线电池电流密度显著提高,我们将其归因于硅纳米线电池具有较低的光反射,因而能更充分吸收太阳光.外量子效率测试也表明,在550nm-750nm 的光波段,硅纳米线电池的量子效率有明显的提高.

作者：

谢小兵、曾湘波、姚文杰、刘石勇、彭文博、王超、杨萍、朱洪亮

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作者单位：

中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083

关键词：

硅纳米线径向n-i-p结构太阳能电池量子效率 PECVD技术

主办单位：

中国微米纳米技术学会

纳米科技编辑部

会议名称：

2010年第九届中国国际纳米科技（西安）研讨会

会议时间：

2010-11-15

会议地点：

西安

会议母体文献：

2010年第九届中国国际纳米科技（西安）研讨会论文集

页码：

1-4

出版时间：

2010