氮化硅介质薄膜的反应离子刻蚀研究

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中文摘要：利用RIE技术实施光刻胶图形到衬底上的转移，分析刻蚀气氛、刻蚀功率等对氮化硅薄膜刻蚀的影响.实验结果表明，刻蚀气体采用CHF3，刻蚀RJE功率为120 W、ICP功率为500W时的刻蚀效果较好，可得到较为理想的刻蚀速率，刻蚀后表面残余光刻胶容易湿法去除，徽图形表面平整.

作者：

戴丽萍、王姝娅、钟志亲、束平、王刚、张国俊

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作者单位：

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

关键词：

刻蚀速率徽图形氮化硅薄膜

主办单位：

中国物理学会

会议名称：

第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议时间：

2010-11-25

会议地点：

成都

会议母体文献：

第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议论文集

页码：

47-49

出版时间：

2010