射频分子束外延方法生长氮化铝薄膜材料研究

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中文摘要：本文采用射频分子束外延(RF-MBE)方法生长了氮化铝薄膜，并定量表征了其缺陷情况。结果表明，保持富Al条件，并通过适当提高生长温度来促进材料结晶，有利于抑制刃型位错的产生，但会引入更多的氧杂质。在富Al条件下进行二维生长可同时增强Al和N原子的迁移，使螺型位错减少，并消除铝空位。但是，氮空位却是难以通过改变外延条件来彻底消除的。

作者：

胡健楠、郝智彪、任凡、张辰、罗毅

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作者单位：

清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系,北京 100084

关键词：

射频分子束外延氮化铝薄膜位错密度点缺陷阴极荧光

主办单位：

北京真空学会

会议名称：

2011北京真空学会真空学术交流会

会议时间：

2011-10-01

会议地点：

北京

会议母体文献：

2011北京真空学会真空学术交流会论文集

页码：

15-21

出版时间：

2011