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石墨烯薄膜的制备及中间产物的结构变化研究
黄桥 1孙红娟 2彭同江 2杨勇辉1
作者信息
- 1. 西南科技大学理学院，621010，绵阳
- 2. 西南科技大学矿物材料及应用研究所，621010，绵阳
- 折叠
摘要
采用氧化还原法，通过改变还原阶段的反应时间，真空过滤制备不同还原程度的石墨烯薄膜。用X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻率测试仪对样品进行结构、谱学、形貌及电学性能表征。结果表明，石墨经氧化后结构层键合多种舍氧官能团，层间距增大；随还原阶段反应时间的增加，结构层中官能团逐渐减少，所获石墨烯仍有部分官能团未被还原；氧化石墨超声剥离后形成的氧化石墨烯，在真空过滤成膜过程中沿c轴方向可重堆叠形成新的较为有序的结构，而经还原后的石墨烯呈无序堆叠；石墨经氧化后，D峰宽化且增强，G峰宽化且向高波数方向偏移；随还原阶段反应时间的增加，所获产物的G峰向低波数方向偏移，ID／IG逐渐增大，导电性逐渐增强，经8h后，所得石墨烯薄膜的电导率约为23.3S·cm-1。通过改变还原阶段的反应时间可对石墨烯的电学性能进行有效调控。
关键词
纳米材料/石墨烯薄膜/氧化还原法/结构分析/电导率引用本文复制引用
主办单位
中国微米纳米技术学会会议名称
2011年第十届中国国际纳米科技研讨会会议时间
2011-10-26会议地点
杭州会议母体文献
2011年第十届中国国际纳米科技研讨会论文集页码
1-8出版时间
2011