n-InN/p-GaN发光二极管的电致发光

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中文摘要：由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段,使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值,有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD制备的p型GaN衬底上，采用RF-MBE方法生长了未掺杂的InN单晶薄膜。并对其物理性能进行了研究。

作者：

吴国光、沈春生、郭忠杰、高福斌、宋力君、张硕、李万程

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作者单位：

集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012

大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连,116024

关键词：

氮化铟材料分子束外延技术电致发光物理性能

主办单位：

中国物理学会

会议名称：

第十八届全国半导体物理学术会议

会议时间：

2011-08-20

会议地点：

呼和浩特

会议母体文献：

第十八届全国半导体物理学术会议论文集

页码：

153

出版时间：

2011