炸药晶体中的缺陷与热点起爆密切相关,位错是RDX晶体中最重要的一种线缺陷,严重影响炸药的力学、安全等性能。炸药大单晶较为纯净,杂质与缺陷较少,采用炸药大单晶研究炸药的起爆机理受到广泛关注。用溶剂蒸发法制备了RDX大单晶(约5×4×3 cm3),从大单晶上切割得到(210)、(200)和(111)取向的单晶片。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω)扫描)研究了RDX单晶的生长诱导位错,(210)、(200)和(111)晶面的半高宽(FWHM)值分别为35.35arcsec,45.31arcsec和7.92arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快;(210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢。
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