NETL
碳纳米管场发射领域中国专利状况分析
侯元元 1黄裕荣 1郭鲁钢 1蔚晓川1
作者信息
- 1. 北京市科学技术情报研究所 北京 100120
- 折叠
摘要
碳纳米管在纳米材料中最富有代表性，并且是性能最优异的材料之一。作为一种新型的发射体材料，碳纳米管具有许多独特优点，被认为是最有希望的理想场发射材料，成为国内外场发射阴极研究的热点。近年来，关于碳纳米管场发射的研究成果不断涌现，尤其是近年来中国科研实力的提升，中国科学家在该领域也取得了相当突出的成绩，研究成果的影响力越来越大，本文从中国公开专利角度研究国内碳纳米管场发射领域的发展情况。
关键词
专利分析/碳纳米管/场发射技术/技术分析引用本文复制引用
主办单位
北京科学技术情报学会会议名称
科技情报发展与创新服务学术研讨会暨北京科学技术情报学会2009年学术年会会议时间
2009-12-01会议地点
北京会议母体文献
科技情报发展与创新服务学术研讨会暨北京科学技术情报学会2009年学术年会论文集页码
235-239出版时间
2009