P型直拉单晶硅中的氧沉淀对Cu沉淀的影响

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中文摘要：研究了p型直拉单晶硅中经Ar气氛下750 ℃/4,8h+1050℃/0～16h低高两步热处理形成的氧沉淀对铜(Cu)沉淀的影响。经过择优腐蚀，结合光学显微镜观察发现，在没有引入氧沉淀的样品内，Cu沉淀表现为点状；而在引入氧沉淀的样品内，Cu沉淀都表现为团聚状，而且团聚状Cu沉淀的尺寸和密度随着氧沉淀的不同而变化。从氧沉淀作为Cu沉淀异质形核中心这一基本点出发，解释了团聚状Cu沉淀的形成机理；在此基础上阐述了团聚状Cu沉淀尺寸和密度随氧沉淀变化的原因。

作者：

王维燕、杨德仁、马向阳、阙端麟

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作者单位：

浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程系,杭州,310027

关键词：

单晶硅半导体氧沉淀工艺缺陷分析光学显微镜

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议时间：

2007-11-01

会议地点：

重庆

会议母体文献：

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议论文集

页码：

605-608

出版时间：

2007