电子辐照直拉硅单晶中辐照施主热行为的研究

扫码查看

原文链接

NETL

中文摘要：电子辐照直拉硅单晶后，将在硅片内产生大量的辐照缺陷。本文利用四探针、付立叶红外吸收光谱仪(FTIR)和金相显微镜研究了硅中辐照缺陷的热行为，发现样品在氢气氛下经750℃退火后电阻率呈现下降趋势。硅中的辐照缺陷在此温度下俘获了大量的间隙原子，形成施主态的缺陷-氧复合体，这些复合体在4小时后达到饱和，长时间退火后单晶硅中的辐照缺陷能够促进氧沉淀的形成。

作者：

崔会英、陈贵锋、赵二敏、李养贤

展开 >

作者单位：

河北工业大学信息功能材料研究所,天津 300130 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027

关键词：

直拉硅单晶电子辐照缺陷分析氧沉淀

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议时间：

2007-11-01

会议地点：

重庆

会议母体文献：

第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议论文集

页码：

641-643

出版时间：

2007