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不同工艺参数真空蒸镀制备Be薄膜研究

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本研究采用真空热蒸发制备Be薄膜对利用磁控溅射制备Be/Cu靶丸进行了前期研究,采用不同的工艺参数制备Be薄膜,研究了不同基底材料、加热温度、加热时间、Be用量、靶基距等对Be薄膜生长率、粗糙度、表面形貌、物相等的影响规律,最终得到了薄膜生长最优的工艺参数。

李恺、罗炳池、罗江山、谭秀兰、李佳、韩尚君

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中国工程物理研究院激光聚变研究中心 四川 绵阳 621900

铍薄膜 真空热蒸法 工艺参数 制备工艺

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