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氦离子辐照碳化硅晶体缺陷演化的研究

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碳化硅在先进核反应堆、核废料处理装置等强辐射或高温环境中可作为一种理想的结构材料.为了防止注入过程中导致材料表层产生非晶化,我们进行了高温氦离子注入。研究发现,辐照后样品内部没有形成非晶层。但对于室温条件下同样剂量的氦离子注入碳化硅,却能够在注入层中形成非晶层。随着退火温度的增加,样品内部缺陷开始恢复,导致拉曼强度和透射率增加、吸收率降低。这说明了该损伤埋层内部形成了其他缺陷。利用透射电镜测试发现,该损伤埋层经高温退火后,主要是形成了高压盘状氦泡。这些过压氦泡通过挤压周围的晶格原子来缓解其内部的压力。当这些晶格原子离开了原来的位置到了间隙位,聚集成核,形成间隙型层错,这些间隙型缺陷导致去沟道效应,使得沟道背散射产额增加。

李炳生、张洪华、张崇宏、杨义涛、李健健、张丽卿、张利民

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中国科学院近代物理研究所 甘肃 兰州730000

江西科技师范学院江西省材料表面工程重点实验室 330013

核反应堆 反射层材料 碳化硅 晶体缺陷演化

中国物理学会

中国核学会

第五届反应堆物理与核材料学术研讨会暨第二届核能软件自主化研讨会

2011-10-31

重庆

第五届反应堆物理与核材料学术研讨会暨第二届核能软件自主化研讨会论文集

40

2011