原子层沉积Al2O3薄膜与4H-SiC衬底界面的退火研究

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中文摘要：本文主要研究退火对原子层沉积Al2O3薄膜表面和Al2O3/4H-SiC界面的影响。生长Al2O3薄膜的前驱体为三甲基铝(TMA)与水(H2O),生长速率为1.26(A)/cycle。薄膜最终厚度为10 nm。然后将Al2O3薄膜在氮气中1000℃下退火1min。检测结果显示,退火后Al2O3薄膜粗糙度增加。同时,退火使得Al2O3薄膜充分氧化,但也导致Al2O3/4H-SiC界面有Si的次氧化物以及Al-O-Si化含物的生成。

作者：

张峰、Feng Zhang、Guosheng Sun、孙国胜、Liu Zheng、郑柳、Shengbei Liu、刘胜北、Bin Liu、刘斌、Lin Dong、董林、Wanshun Zhao、赵万顺、Lei Wang、王雷、Guoguo Yan、闫果果、刘兴昉、Xingfang Liu、Yiping Zeng、曾一平

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作者单位：

中国科学院半导体研究所,北京 100083

Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China

关键词：

半导体材料氧化铝薄膜原子层沉积碳化硅衬底界面退火工艺

主办单位：

中国电子学会

会议名称：

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

会议时间：

2012-11-07

会议地点：

开封

会议母体文献：

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议论文集

页码：

486-488

出版时间：

2012