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斜切Si(001)衬底上新型GeSi纳米结构的系统研究

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本文运用分子束外延技术在偏离<100>方向一定偏角的Si(001)衬底上异质外延一定厚度的锗硅合金，从而获得了高密度的垂直于斜切方向的锗硅纳米线结构。从实验中可以发现纳米线的生长具有一个最佳的斜切角度，当角度过大时，反而不利于纳米线的形成。将纳米线的生长机理解释为由于斜切角度所带来的弛豫能的对称破缺。

周通、马谦谦、樊永良、钟振扬

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应用表面物理国家重点实验室和复旦大学物理系上海市邯郸路220号,200433

半导体技术 锗硅纳米线结构 分子束外延技术

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