摘要
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对比研究了多种p型窗口层(包括p-a-SiC:H,p-u c-Si:H,p-nc-Si:H,混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H)结构特征以及相关界面输运特性对n-i-p型非晶硅太阳电池性能的影响.通过对比不同p型窗口层的纵向输运特性和非晶硅电池的光态暗态曲线,发现p-a-SiC:H和p-nc-Si:H纵向电导率低、电学输运性能较差,而p-uc-Si:H在i/p界面处能带和晶格结构不匹配,增加界面处的载流子复合.将优化的混合相p-a-SiC:H/nc-Si:H薄膜作为p型窗口层用于n-i-p型非晶硅电池,通过i/p界面处理技术及缓冲层工艺的优化,使非晶硅薄膜电池的性能,尤其是界面复合得到明显改善,最终获得了高效非晶硅电池(Voc=0.95V,Jsc=11.3 mA/cm2,FF=73％,Eff=7.8％).
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