灯丝间距对CVD金刚石厚膜生长的影响

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中文摘要：本文采用热丝化学气相沉积方法制备CVD金刚石厚膜,通过灯丝间距缩短为4mm，同时增加围挡，使得CVD金刚石厚膜的生长速度可达到7.5μm/h，热导率达到1028W/(m·K)，CVD金刚石膜结构致密，无孔洞，甚至透红光。其主要原因是灯丝间距缩短和增加围挡，增加了灯丝阵列的活化能力，产生更多的含碳基团和原子氢，促进金刚石生长，加速sp2结构碳的刻蚀。

作者：

Zhao zhiyan、赵志岩、Zhou Mingyu、周明于、Hao Chao、郝超

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作者单位：

Langfang Supower Diamond Technology Co.Ltd., Langfang 065300, Hebei, China

廊坊西波尔钻石技术有限公司,河北廊坊,065300

关键词：

金刚石厚膜热丝化学气相沉积法灯丝间距围挡生长速度

主办单位：

中国机床工具工业协会超硬材料分会

会议名称：

第十九届中国超硬材料技术发展论坛

会议时间：

2015-11-01

会议地点：

郑州

会议母体文献：

第十九届中国超硬材料技术发展论坛论文集

页码：

92-95

出版时间：

2015