基于纳球光刻图形化GaAs衬底异质生长InP的局域化表面成核层生长研究

戚永乐 ¹张瑞英 ¹张震 ²朱健 ¹王岩岩 ¹孙玉润 ¹赵勇明 ¹董建荣 ¹王庶民¹

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作者信息

1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及相关材料研究部,苏州,215125
2. 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所),上海市长宁路865号,200050
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摘要

本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但是其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度至埃量级,微拉曼光谱测试显示了它的二维生长.该研究有助于后期在基于ART机理的GaAs图形衬底上生长InP体材料.

关键词

磷化铟材料/成核层/砷化镓衬底/异质生长/表面形貌/纳球光刻技术

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主办单位

中国电子学会/中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

会议名称

第十四届全国固体薄膜学术会议

会议时间

2014-07-01

会议地点

贵阳

会议母体文献

第十四届全国固体薄膜学术会议论文集

页码

202-208

出版时间

2014

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