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荣德全熔高效多晶及金刚线应用

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多晶硅片的生产工艺进行探讨。研究发现,使用更高纯度的高纯层材料,优化扩散阻隔层性能,可以有效硅锭减少金属杂质,从而提高电池转化效率;优化阶段长晶速率,可以有效降低位错;通过共掺杂技术获得合适的电阻率阻值和分布可以提升硅片在PERC工艺下的电性能表现;通过优化气流结构和新材料新结构的应用,可以有效降低硅锭碳含量;通过合适的氮化硅粉配比和喷涂工艺调整,可以提高氮化硅涂层化学稳定性,有效降低硅锭氮化物杂质。

张振中、唐骏、杨振帮、常传波

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多晶硅片 晶体位错 共掺杂 金刚线切割工艺 氮化硅涂层

中国可再生能源学会

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第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会

2017-11-16

徐州

第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集

1-18

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