基于GaN的共振隧穿二极管

王丁 ¹杨流云 ²盛博文 ¹陈兆营 ²石向阳 ¹苏娟 ¹谭为 ²张健 ²王新强 ²沈波²

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作者信息

1. 北京大学物理学院,宽禁带半导体研究中心,北京 100871
2. 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都 610299
折叠

摘要

近年来,Ⅲ族氮化物半导体以其独特的材料特性和优异的器件性能而倍受关注.其中,基于氮化物的共振隧穿二极管(RTD）有望实现室温下太赫兹波的连续波可调大功率发射,成为氮化物研究一大热点.本文主要研究了GaN/AlGaN共振隧穿二极管的电学特性.分别在蓝宝石衬底和同质衬底上外延生长了AlGaN/GaN双势垒结构,通过标准半导体工艺制备了不同台面的RTD器件.

关键词

共振隧穿二极管/分子束外延生长/氮化镓半导体/双势垒结构/电学特性

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主办单位

中国有色金属学会/中国电子学会

会议名称

第十二届全国分子束外延学术会议

会议时间

2017-08-15

会议地点

太原

会议母体文献

第十二届全国分子束外延学术会议论文集

页码

出版时间

2017

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