Na助熔剂法生长2英寸GaN单晶

李强 ¹孙科伟 ¹张嵩 ¹兰飞飞¹

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作者信息

1. 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津市河西区洞庭路 26 号,3002220
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摘要

采用Na助熔剂法在800℃以及5MPa氮压的生长条件下,以MOCVD GaN作为籽晶获得了厚度约为2mm的2英寸GaN单晶,平均生长速度约为25um/h.XRD测试结果表明,所获得的GaN晶体的基面为c面,其摇摆曲线的半高宽为264.2arcsec.室温下的阴极荧光光谱曲线中,最高峰位于标准GaN材料的365nm处,峰的半高宽约为23.4nm.

关键词

半导体材料/氮化镓单晶/钠助熔剂法/晶体生长

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主办单位

中国电子学会/中国有色金属学会

会议名称

第二届全国宽禁带半导体学术会议

会议时间

2017-08-10

会议地点

西宁

会议母体文献

第二届全国宽禁带半导体学术会议论文集

页码

206-207

出版时间

2017

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