摘要
近年来,纳米材料因其在光、电、热、磁等物理性能上显示出的新奇特性,已经在物理、材料化学、生物科学以及微电子等领域得到广泛的应用.最近两年研究组提出将外电场引入到传统的化学气相淀积(CVD)设备中，在纳米材料的可控生长方面做了大量的研究工作，并取得了一些好的结果。目前关于外加电场辅助CVD方法对β-Ga2O3纳米材料的相关研究还未见报道。本文采用外电场辅助CVD方法，在蓝宝石衬底上生长出了具有网格状结构的β-Ga2O3纳米线。研究了不同外加电压大小对β-Ga2O3纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响。研究发现外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响，在有外加电场作用时生长的样品其纳米线的取向性开始变好，且只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga2O3纳米线，并且随着外加电压的增加，纳米线分布变得更加密集、长度明显增长。此外，还发现利用这种外电场辅助的CVD方法可以明显的改善样品的晶体质量。
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