p型NiO栅极对AlGaN/GaN型NiO栅极对AlGaN/GaN HFET阈值电压的调控研究

王文静 ¹李柳暗 ¹张佳琳 ¹何亮 ¹刘扬¹

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作者信息

1. 中山大学,电子与信息工程学院,广州,510006
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摘要

热氧化温度决定着NiO材料的晶体结构、电学特性和禁带宽度.本文通过优化热氧化温度,获得了性能良好的p型NiO材料并用于实现常关型AlGaN/GaN HFET.与传统的Ni栅极HFET相比,NiO栅极能有效调控阈值电压和降低栅极漏电流,但是漏极输出电流密度略有降低.结合凹槽结构和NiO栅极成功获得阈值电压为0.5V的常关型GaN HFET器件.

关键词

异质结场效应晶体管/p型氧化镍/凹槽栅/热氧化温度/阈值电压

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主办单位

中国电子学会/中国有色金属学会

会议名称

第二届全国宽禁带半导体学术会议

会议时间

2017-08-10

会议地点

西宁

会议母体文献

第二届全国宽禁带半导体学术会议论文集

页码

377-378

出版时间

2017

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