摘要
InP/ZnS量子点作为一种新型环保的量子点,具有高的光致发光量子产率、窄发射线宽度、耐光性好等,可以通过组分和尺寸等实现能带的调节,使其能够覆盖可见光到近红外光区域,因此表现出良好的应用前景.近几年以CdS(Te,Se)为代表的Ⅱ-Ⅵ族量子点被广泛的应用在LED器件上,但Cd有毒,不符合国际绿色环保要求,在商业不能广泛的被使用,具有类似性能的Ⅲ-V族InP/ZnS量子点被认为是最具有潜能的替代它的发光材料,本文主要介绍了近年来InP/ZnS量子点的合成及其在白光LED器件应用的研究进展.
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