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雪崩倍增GaAs光电导猝灭特性研究

施卫

雪崩倍增GaAs光电导猝灭特性研究

施卫1
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作者信息

  • 1. 西安理工大学应用物理系,西安,710048
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摘要

研究了GaAs光电导天线的雪崩倍增猝灭模式.在实验上用纳焦量级的飞秒激光脉冲可以触发GaAs PCA进入雪崩倍增模式;在8nJ弱光触发、71.8kV/cm偏置电场下,对雪崩倍增GaAs光电导天线实现了有效猝灭,GaAs光电导天线在雪崩倍增猝灭工作模式下的脉宽减小到1.23ns,大幅度缩短了其载流子雪崩倍增模式的延续时间(Lock–on维持时间).为利用雪崩倍增机制的GaAs PCA产生高功率的THz辐射奠定了实验基础.

关键词

光电导天线/雪崩倍增/猝灭模式/飞秒激光脉冲

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主办单位

中国电子学会/中国兵工学会

会议名称

第三届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会

会议时间

2016-09-11

会议地点

成都

会议母体文献

第三届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会论文集

页码

1-5

出版时间

2016
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