提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证

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中文摘要：本文阐述了提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证，结果表明：过量碳氧杂质降低CZ-Si工艺中的晶体品位，碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中，气体导流筒与Si熔体间隙对C杂质输运影响取决于扩散距离。

作者：

刘鑫、原田博文、宫村佳儿、韩学峰、中野智、西泽伸一、柿本浩一

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作者单位：

九州大学应用力学研究所

关键词：

单晶硅提拉法碳杂质输运控制策略数值模拟

主办单位：

中国可再生能源学会

上海市太阳能学会

会议名称：

2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议时间：

2018-11-01

会议地点：

南昌

会议母体文献：

2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会论文集

页码：

1-30

出版时间：

2018