摘要
器件常用重金属工艺来提高器件可靠性,强钴源辐射场低能散射γ将使界面附近出现由高Z到低Z区域的光电子非平衡输运,导致界面产生剂量增强效应.介绍了一种强钴源低能散射γ成分评价方法,方法利用铝单层室壁/金铝双层室壁平板型电离室辐射电流比值对低能γ敏感的特性,通过比较电离比值实测与参考值的差异来评价能量散射γ(≤300keV)成分比例是否过多,分析结果表明,参考值可取为2.8.设计了量程约0.01～2.3Gy(Si)·s-1的电离室探头,搭建了长距离辐射电流测量系统,单板钴源辐照实验结果表明,空场条件和铅铝容器内辐射电流比值实测结果与预期相符,说明评价方法是可行的.此外,辐射电流比值可从剂量角度关联不同辐射场或相同辐射场不同辐照工位.
NETL