摘要
单粒子翻转敏感特性是航天器设计中需要考虑的一个关键性因素.本文将简要介绍电子单粒子效应和本研究中使用的电子直线加速器以及本课题中电子单粒子效应实验的实验装置、测试系统和实验方法,并着重呈现45nm CMOS(互补金属氧化物半导体)芯片在10MeV的高能电子照射下、在1.4V、1.3V和1.2V不同工作电压下单粒子效应的实验特性.实验数据结果表明,45nmCMOS(额定工作电压1.5V)芯片在电子直线加速器产生的高能电子照射下能产生明显的单粒子翻转效应,45nmCMOS芯片的单粒子翻转截面随入射电子能量的趋势与所调研的文献数据是相符合的.在保持入射电子能量不变的情况下,在±20％范围内改变器件工作电压进行单粒子翻转实验,数据表明电子引起单粒子翻转截面随器件工作电压的变化趋势与理论预期也是一致的,即工作电压越小,单粒子翻转临界电荷减少从而翻转截面越高.
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