氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究

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中文摘要：氮化铝(AlN)是超宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高激子结合能、高熔点、高临界击穿场强、高硬度、高热导率、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异特性,是制作紫外光电器件以及大功率、高频电子器件的理想材料,现已被国家列为"战略性先进电子材料".报告主要开展氮化铝晶体物理气相传输法(PVT)制备装置及技术研究,包括:研究氮化铝晶体的PVT生长习性及对制备装置的特殊要求,以及达到这些特殊要求的途径和方法;通过自行设计的装置,探索大尺寸氮化铝单晶的生长技术;对不同颜色晶体进行分析,研究氮化铝晶体呈现有色的原因,探索本征缺陷、杂质等的影响,并通过工艺优化,实现无色英寸级氮化铝单晶制备.

作者：

武红磊

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作者单位：

深圳大学光电子器件与系统教育部重点实验室

关键词：

氮化铝晶体物理气相传输法工艺装置技术参数

主办单位：

国家半导体照明工程研发及产业联盟

第三代半导体产业技术创新战略联盟

会议名称：

7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors&18th China International Forum on Solid State Lighting （第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛）

会议时间：

2021-11-01

会议地点：

深圳

会议母体文献：

7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors&18th China International Forum on Solid State Lighting （第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛）论文集

页码：

134

出版时间：

2021