GaN是一种宽带隙半导体材料，它具有高电子迁移率、高热导等优异的物理性质。近年来，GaN材料在短波长发光器件、光探测器以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速。由于其体单晶难以制备，生长高质量的一维纳米结构和二维薄膜材料是研究开发GaN基器件的基础。本文对GaN纳米线和GaN薄膜的合成、显微结构以及物性进行了系统研究。主要结果如下： 1、在两端开口的管式炉中，以氧化镓和氨气为原料，Pt作为催化剂，在1000℃合成出大量高质量的氮化镓纳米线。利用场发射扫描电镜(FESEM)、能谱分析(EDS)、X-Ray衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电镜(HRTEM)及PL谱等测试手段对试样进行了表征。结果表明：所得纳米线平直光滑，数量较多，其直径在50～100nm范围之间，长度可达十几微米。纳米线是具有六方晶系纤锌矿结构的GaN单晶体，具有较好的光学质量且纳米线中缺陷很少。纳米线是以VLS机理生长，生长方向为[100]。 2、在不使用催化剂的情况下，以Ga<,2>O<,3>作为镓源，氨气作为氮源，直接在硅衬底上制备GaN纳米线。在相同的实验条件下，选用石英衬底，合成了氮化镓纳米棒。FESEM、XRD、HRTEM结果表明：所得的纳米线是具有六方纤锌矿结构的氮化镓晶体，其直径大约为100nm，长度在数百微米以上，且纳米线表面比较粗糙，存在较多的缺陷。纳米线是以VS机理生长，生长方向为[100]。GaN纳米棒直径大约为200nm左右，粗细不均匀并且表面有缺陷，长度从几百纳米到两微米不等。纳米棒是以VS机理生长。 3、以Ga<,2>O<,3>和Ga作为镓源，氨气作为氮源，在管式炉中制备出氮化镓薄膜。用FESEM、EDS和XRD等测试手段对薄膜进行了表征分析。结果表明薄膜是由六方纤锌矿结构的GaN晶粒组成，薄膜质量很高，表面较为平整，缺陷较少。
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